Best Of Elektornik
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Statisches Schaltverhalten

Statisches Schaltverhalten eines Transistors

Transistor sperrt

Die Basis wird über RB wird der gewünschte Basisstrom eingestellt. Ausgangsseitig stellt sich der Arbeitspunkt APL ein. IB muss groß genug sein, dass der Arbeitspunkt sicher im Sättigungsbereich (niederohmigen Bereich) liegt.

Formel Transistor sperrt

Transistor leitet

über den Vorwiderstand RB Arbeitspunkt APS ein.

Übersteuerungsfaktor Transistor
Übersteuerungsfaktor Transistor Basisstrom IB

Ü .... Übersteuerungsfaktor

übersteuerungsfaktor Transistor

Dynamisches Schaltverhalten

Dynamisches Schaltverhalten
tD ... Delaytime vom Auslösen bis zum erkennen
tR ... Risetime Anstiegszeit z.B. 50ns
tS ... Storagetime z.B. 150ns
tF ... Falltime Fallzeit z.B. 50ns

Schaltverlustleistung während des Umschaltens

Ohmsche Last

Ohmsche Last Schaltverlustleistung während des Umschaltens

Verlustleistung während des Umschaltens ist höher, als im ein-, ausgeschalteten Zustand.

Kapazitive Last

Kapazitive Last Schaltverlustleistung während des Umschaltens

Einschaltvorgang

Beim Einschalten ist der Strom gegenüber dem ohmschen Fall erhöht (der Kondensator muss aufgeladen werden) => die Schaltverlustleistung ist deutlich erhöht (ACHTUNG). Bei großem übersteuerungsfaktor kann der Transistor zerstört werden.
Abhilfe: Vorwiderstand in Serie hängen, damit der Strom nicht zu groß wird.

Ausschaltvorgang

Beim Ausschalten ist die Schaltverlustleistung kleiner, als im ohmschen Fall.

Induktive Last

Induktive Last Schaltverlustleistung während des Umschaltens

Einschaltvorgang

günstiger Fall.

Ausschaltvorgang

hier wehrt sich die Spule gegen das Absinken des Stromes. Die entstehende überspannung uL(t) kann deutlich größer als UB werden.
Abhilfe: Freilaufdiode

Induktive Last mit Freilaufdiode Schaltverlustleistung während des Umschaltens

Weitere Infos über Transistoren finden Sie hier