Best Of Elektornik
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Allgemein:

IGBT ... Insulated gate bipolar transistor

Der IGBT ist spannungsgesteuert.

Der Nachteil des MOSFET ist der für sehr große Ströme immer noch zu hohe RDSon was zu sehr großen Verlustleistungen führt. Dies hat zur Entwicklung des IGBT geführt.

Jener besitzt im Gegensatz zum MOSFET eine zusätzliche P-Schicht auf der Drainseite, wodurch eine Struktur eines PNP-Transistors entsteht. Der N-Kanal wirkt nun als Basis des Transistors.
siehe AufbauAufbau

Mit IGBT können Spannungen bis zu 1400V und Ströme bis zu 100A pro Transistor geschalten werden.

Der IGBT muss gegenüber Stromüberlastung geschützt werden, da die Schichtfolge einen parasitären Thyristor bildet der zünden kann, wobei kein Abschalten mehr möglich ist.

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